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参数资料
| 型号： | 10MQ060NTRPBF |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | 10MQ060NTRPBF |
10MQ060N
Bulletin PD-20519 rev. L 0
7/04
2
www.irf.com
Part number
10MQ060N
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
60
Voltage Ratings
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
0.63
V
@ 1A
* See Fig. 1
0.71
V
@ 1.5A
0.57
V
@ 1A
0.63
V
@ 1.5A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
0.5
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
7.5
mA
T
J = 125 °C
VF(TO) Threshold Voltage
0.45
V
T
J = TJ max.
rt
Forward Slope Resistance
86.8
m
C T
Typical Junction Capacitance
31
pF
V
R = 10VDC, TJ = 25°C, test signal = 1Mhz
L S
Typical Series Inductance
2.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/s
(Rated V
R)
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Electrical Specifications
Parameters
10MQ Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
T
J
Max. Junction Temperature Range (*) -55 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
- 55 to 150
°C
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
80
°C/W DC operation
to Ambient
wt
Approximate Weight
0.07(0.002) g (oz.)
Case Style
SMA
Similar D-64
Device Marking
IR1H
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
10MQ Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
I
F(AV) Max. Average Forward Current
1.5
A
50% duty cycle @ T
L = 120 °C, rectangular wave form.
* See Fig. 4
On PC board 9mm2 island(.013mm thick copper pad area)
I
FSM
Max. Peak One Cycle Non-Repetitive
40
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current * See Fig. 6
10
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-Repetitive Avalanche Energy
2.0
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 1A, L = 4mH
I
AR
Repetitive Avalanche Current
1.0
A
Parameters
10MQ Units
Conditions
A
Following any rated
load condition and
with rated V
RRM applied
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(*) dPtot
1
dTj
Rth( j-a)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10MQ100NTR | 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10MQ100NTRPBF | 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10MQ100N | 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10T400 | ACTIVE DELAY LINE, TRUE OUTPUT, PDIP14 |
| 10SGT80 | ACTIVE DELAY LINE, TRUE OUTPUT, PDSO14 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 10MQ060NTRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Schottky Rectifier |
| 10MQ100 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| 10MQ100-M3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1 A |
| 10MQ100N | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2.1 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 10MQ100NPBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A D64 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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