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参数资料
| 型号： | 10MQ090 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.77 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 10MQ090 |
10MQ090
PD-2.286 rev. A 12/97
2
www.irf.com
Part number
10MQ090
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM
Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
90
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max.AverageForwardCurrent
0.77
A
50%dutycycle@T
C
=110°C,rectangularwaveform
* See Fig. 5
OnPCboard3mm.x3mm.island
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
40
5s Sine or 3s Rect. pulse
SurgeCurrent *SeeFig.7
10
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
Parameters
10MQ
Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
Following any rated
load condition and
with rated V
RRM
applied
A
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
0.81
V
@ 0.77A
* See Fig. 1
0.96
V
@ 1.54A
0.65
V
@ 0.77A
0.76
V
@ 1.54A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
1
mA
T
J
= 25 °C
* See Fig. 2
5.0
mA
T
J
= 125 °C
C
T
Typical Junction Capacitance
28
pF
V
R
= 10V
DC
, T
J
= 25°C, test signal = 1Mhz
L
S
Typical Series Inductance
2.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= rated V
R
Electrical Specifications
Parameters
10MQ
Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
-40to125
°C
T
stg
Max.StorageTemperatureRange
-40to125
°C
R
thJA
Max.ThermalResistanceJunction
160
°C/W
DCoperation
toAmbient
wt
ApproximateWeight
0.07(0.026) g(oz.)
Case Style
D-64
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
10MQ
Units
Conditions
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