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参数资料
| 型号： | 11AA02E48-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 1/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 100KHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | MAC Address EEPROMs |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROM - 串行（带 MAC 地址） |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (256 x 8) |
| 速度： | 100kHz |
| 接口： | UNI/O?（单线） |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1443 (CN2011-ZH PDF) |
11AA02E48
2K UNI/O ? Serial EEPROM with EUI-48? Node Identity
DEVICE SELECTION TABLE
Part Number
Density
(bits)
Organization V CC Range
Page Size
(Bytes)
Temp.
Ranges
Packages
11AA02E48
2K
256 x 8
1.8-5.5V
16
I
SN, TT
Features:
? Pre-programmed Globally Unique, 48-bit Node
Address
? Compatible with EUI-48? and EUI-64?
? Single I/O, UNI/O ? Serial Interface Bus
? Low-Power CMOS Technology
- 1 mA active current, typical
- 1 μA standby current (max.)
? 256 x 8 Bit Organization
? Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression
? Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce
? 100 kbps Max. Bit Rate – Equivalent to 100 kHz
Clock Frequency
? Self-Timed Write Cycle (including Auto-Erase)
? Page-Write Buffer for up to 16 Bytes
? STATUS Register for Added Control:
Description:
The Microchip Technology Inc. 11AA02E48 device is a
2 Kbit Serial Electrically Erasable PROM. The device is
organized in blocks of x8-bit memory and support the
patented* single I/O UNI/O ? serial bus. By using
Manchester encoding techniques, the clock and data
are combined into a single, serial bit stream (SCIO),
where the clock signal is extracted by the receiver to
correctly decode the timing and value of each bit.
Low-voltage design permits operation down to 1.8V,
with standby and active currents of only 1 uA and 1 mA,
respectively.
The 11AA02E48 is available in standard 8-lead SOIC
and 3-lead SOT-23 packages.
Package Types (not to scale)
- Write enable latch bit
- Write-In-Progress bit
SOT23
(TT)
SOIC
(SN)
? Block Write Protection
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array
? Built-in Write Protection
V SS 3
2
V CC
NC
NC
NC
1
2
3
8
7
6
V CC
NC
NC
- Power-on/off data protection circuitry
1 SCIO
V SS 4
5
SCIO
- Write enable latch
? High Reliability
- Endurance: 1,000,000 erase/write cycles
- Data retention: > 200 years
- ESD protection: > 4,000V
? 3-lead SOT-23 and 8-lead SOIC Packages
? Pb-Free and RoHS Compliant
? Available Temperature Ranges:
- Industrial (I): -40°C to +85°C
Pin Function Table
Name
Function
SCIO
Serial Clock, Data Input/Output
Note:
This document is supplemented by the
“ 11AAXXX/11LCXXX Family Data Sheet ”
(DS22067). See Section 2.0 “Functional
Description” .
V SS
V CC
Ground
Supply Voltage
* Microchip’s UNI/O ? Bus products are covered by the
following patent issued in the U.S.A.: 7,376,020.
? 2008 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22122A-page 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 24AA16H-I/P | IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8DIP |
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| 24LC32A-I/SN | IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 11AA02E48T-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K, 256x8, 1.8V MAC Addressable RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11AA02E48T-I/TT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K, 256x8, 1.8V MAC Addressable RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11AA02E48T-ITT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11AA02E64-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K, 256X8 1.8V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Intersil 存储容量: 组织: 数据保留: 最大时钟频率: 最大工作电流: 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: |
| 11AA02E64T-I/SN | 功能描述:IC EEPROM 2KBIT 100KHZ 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 格式 - 存储器:EEPROM - 串行（带 MAC 地址） 存储器类型:EEPROM 存储容量:2K（256 x 8） 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,300 |
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