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参数资料
| 型号： | 11AA02E48T-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 100KHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | MAC Address EEPROMs |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROM - 串行（带 MAC 地址） |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (256 x 8) |
| 速度： | 100kHz |
| 接口： | UNI/O?（单线） |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
11AA02E48
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS
Electrical Characteristics:
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I): V CC = 2.5V to 5.5V
V CC = 1.8V to 2.5V
T A = -40°C to +85°C
T A = -20°C to +85°C
Param.
No.
1
2
3
Sym.
F BUS
T E
T IJIT
Characteristic
Serial Bus Frequency
Bit Period
Input Edge Jitter
Min.
10
10
—
Max.
100
100
±0.08
Units
kHz
μs
UI
—
—
(Note 3)
Test Conditions
Tolerance
4
F DRIFT Serial Bus Frequency
—
±0.75
% per byte —
Drift Rate Tolerance
5
F DEV
Serial Bus Frequency
—
±5
% per
—
Drift Limit
command
6
7
T OJIT
T R
Output Edge Jitter
SCIO Input Rise Time
—
—
±0.25
100
UI
ns
(Note 3)
—
(Note 1)
8
T F
SCIO Input Fall Time
—
100
ns
—
(Note 1)
9
T STBY Standby Pulse Time
600
—
μs
—
10
11
T SS
T HDR
Start Header Setup Time
Start Header Low Pulse
10
5
—
—
μs
μs
—
—
Time
12
T SP
Input Filter Spike
—
50
ns
(Note 1)
Suppression (SCIO)
13
14
T WC
—
Write Cycle Time
(byte or page)
Endurance (per page)
—
—
1M
5
10
—
ms
ms
cycles
Write, WRSR commands
ERAL, SETAL commands
25°C, V CC = 5.5V (Note 2)
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
2: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific
application, please consult the Total Endurance ? Model which can be obtained on Microchip’s web site:
www.microchip.com.
3:
A Unit Interval (UI) is equal to 1-bit period (T E ) at the current bus frequency.
TABLE 1-3:
AC TEST CONDITIONS
AC Waveform:
V LO = 0.2V
V HI = V CC - 0.2V
C L = 100 pF
Timing Measurement Reference Level
Input
Output
0.5 V CC
0.5 V CC
? 2008 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22122A-page 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 11LC161-E/P | IC EEPROM 16K SER AUTO 8DIP |
| 1206704-4 | FOENC 1U SOLARIUM MTRJ |
| 1301350343 | ANGL PWR DIST BX 125V15A 6 |
| 1301350372 | PORT OUTLT BX W/(2)5-20&(2)L5-20 |
| 1301360074 | MULTI-TAP W 4FT 12-3-SO 2608PLUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 11AA02E48T-ITT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 11AA02E64-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K, 256X8 1.8V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Intersil 存储容量: 组织: 数据保留: 最大时钟频率: 最大工作电流: 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: |
| 11AA02E64T-I/SN | 功能描述:IC EEPROM 2KBIT 100KHZ 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 格式 - 存储器:EEPROM - 串行（带 MAC 地址） 存储器类型:EEPROM 存储容量:2K（256 x 8） 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,300 |
| 11AA02E64T-I/TT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K, 256X8 1.8V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Intersil 存储容量: 组织: 数据保留: 最大时钟频率: 最大工作电流: 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: |
| 11AA02UID-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K UNI/O EE Unique ID Upper Quarter S/W RoHS:否 制造商:Intersil 存储容量: 组织: 数据保留: 最大时钟频率: 最大工作电流: 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: |
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