- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录106340 > 11DQ09TA2B5 (NIHON INTER ELECTRONICS CORP) 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 11DQ09TA2B5 |
| 厂商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 11DQ09TA2B5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5000 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 16KQ100B | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5255B133 | 28 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5247B116 | 17 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1SS83TA | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 11DQ09TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 90V 1.1A DO-41 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 11DQ09TR-M3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.1 A |
| 11DQ10 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 1.1A DO-41 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 11DQ10-M3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.1 A |
| 11DQ10-T3 | 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 100V 1.1A 2-Pin DO-41 T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。