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参数资料
| 型号： | 11EQS03LTA2B5 |
| 厂商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | 11EQS03LTA2B5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 11EQS05TA1B2 | 0.8 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11ES1TA1B2 | 0.98 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11ES8TA1B2 | 0.98 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11P/C-823J-50 | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 11P/C-683J-50 | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 11EQS04 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| 11EQS06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SBD |
| 11EQS09 | 制造商:NIEC 制造商全称:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:SBD |
| 11EQS10 | 制造商:NIEC 制造商全称:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:Low Forward Voltage drop Diode |
| 11EQS10-TA2B5 | 制造商: 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE VRRM:100V, |
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