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参数资料
| 型号： | 11ES2TA1B2 |
| 厂商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.98 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | MINIATURE PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 11ES2TA1B2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 11DF3TR | 1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5473C | VHF-UHF BAND, 56 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N5470 | VHF-UHF BAND, 33 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N4909A-1 | 12.8 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
| 1N4912-1 | 12.8 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 11ES4 | 制造商:NIEC 制造商全称:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:DIODE |
| 11EZ-4-15 | 制造商:Payne Engineering Company 功能描述:Unspecified |
| 11EZ-4-30 | 制造商:Payne Engineering Company 功能描述:Unspecified |
| 11EZ-4-50 | 制造商:Payne Engineering Company 功能描述:Unspecified |
| 11F-1000G-SIL | 制造商:Sigma Designs 功能描述: |
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