参数资料
| 型号： | 11LC160T-E/TT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 17/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16K FLASH SOT-23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 100kHz |
| 接口： | UNI/O?（单线） |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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11AAXXX/11LCXXX
5.0
DATA PROTECTION
6.0
POWER-ON STATE
The following protection has been implemented to
prevent inadvertent writes to the array:
? The Write Enable Latch (WEL) is reset on power-
up
? A Write Enable ( WREN ) instruction must be issued
to set the write enable latch
? After a write, ERAL, SETAL, or WRSR command,
the write enable latch is reset
? Commands to access the array or write to the
status register are ignored during an internal write
The 11XX powers on in the following state:
? The device is in low-power Shutdown mode,
requiring a low-to-high transition on SCIO to enter
Idle mode
? The Write Enable Latch (WEL) is reset
? The internal Address Pointer is undefined
? A low-to-high transition, standby pulse and subse-
quent high-to-low transition on SCIO (the first low
pulse of the header) are required to enter the
active state
cycle and programming is not affected
.
TABLE 6-1:
WRITE PROTECT FUNCTIONALITY MATRIX
WEL
0
1
Protected Blocks
Protected
Protected
Unprotected Blocks
Protected
Writable
Status Register
Protected
Writable
? 2010 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22067H-page 17
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 11LC160T-I/TT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 16K 2048X8 2.5V SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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