型号: | 1226A2 |
英文描述: | Peripheral IC |
中文描述: | 外围芯片 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 558K |
代理商: | 1226A2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1226G0 | Peripheral IC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1226AL | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:BUSHING, INSUL 制造商:Thomas & Betts 功能描述:Fittings Bushing 1.5inch Aluminum |
1226AS-H-100M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 10uH 20% 1A |
1226AS-H-100M=P2 | 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1A 216 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:650mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):216 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽(3.20mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.059"(1.50mm) 标准包装:1 |
1226AS-H-120M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 12uH 20% 0,85A |
1226AS-H-120M=P2 | 功能描述:12μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 275 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:12μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):275 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽(3.20mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.059"(1.50mm) 标准包装:1 |