型号: | 1226AS-H-1R0N |
厂商: | TOKO INC |
元件分类: | 通用定值电感 |
英文描述: | 1 ELEMENT, 1 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
封装: | CHIP, 2830-10M, ROHS COMPLIANT |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 185K |
代理商: | 1226AS-H-1R0N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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122NQ030 | 120 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
1231AS-H-1R7N | 1 ELEMENT, 1.7 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
1239AS-H-2R2N=P2 | 1 ELEMENT, 2.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1226AS-H-1R0N=P2 | 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.3A 32 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±30% 额定电流:3.3A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):32 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽(3.20mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.059"(1.50mm) 标准包装:1 |
1226AS-H-1R5N | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 1.5uH 30% 2,9A |
1226AS-H-1R5N=P2 | 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 37 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±30% 额定电流:2.9A 电流 - 饱和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):37 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽(3.20mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.059"(1.50mm) 标准包装:1 |
1226AS-H-2R2M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 2.2uH 20% 2.2A 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor DEM2815C SMD 2.2uH 2.2A |
1226AS-H-2R2M=P2 | 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 52 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):52 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽(3.20mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.059"(1.50mm) 标准包装:1 |