型号: | 1235AS-H-220M |
厂商: | TOKO INC |
元件分类: | 通用定值电感 |
英文描述: | 1 ELEMENT, 22 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
封装: | CHIP, 4547-18M, ROHS COMPLIANT |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 159K |
代理商: | 1235AS-H-220M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1235AS-H-220M=P3 | 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 1A 306 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:910mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):306 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.071"(1.80mm) 标准包装:1 |
1235AS-H-2R4M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 2.4uH 20% 2,3A |
1235AS-H-2R4M=P3 | 功能描述:2.4μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 65 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.4μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):65 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.071"(1.80mm) 标准包装:1 |
1235AS-H-3R3M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 3.3uH 20% 2.1A |
1235AS-H-3R3M=P3 | 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 74 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):74 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.071"(1.80mm) 标准包装:1 |