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参数资料
| 型号： | 12TQ045STRL |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | SMD-220, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 12TQ045STRL |
12TQ... Series
2
Bulletin PD-20239 rev. B 12/01
www.irf.com
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
0.56
V
@ 15A
* See Fig. 1
0.71
V
@ 30A
0.50
V
@ 15A
0.64
V
@ 30A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
1.75
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
70
mA
T
J = 125 °C
CT
Max. Junction Capacitance
900
pF
V
R = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
LS
Typical Series Inductance
8.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/ s
(Rated V
R)
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Electrical Specifications
Parameters
12TQ
Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
-55 to 150
°C
Tstg Max.StorageTemperatureRange
-55 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
2.0
°C/W DCoperation
* See Fig. 4
to Case
R
thCS Typical Thermal Resistance, Case to
0.50
°C/W Mountingsurface,smoothandgreased
Heatsink
wt
ApproximateWeight
2 (0.07)
g (oz.)
T
MountingTorque
Min.
6 (5)
Max.
12 (10)
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
12TQ
Units
Conditions
I
F(AV) Max. Average Forward Current
15
A
50% duty cycle @ T
C = 120° C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max. Peak One Cycle Non-Repetitive
990
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current * See Fig. 7
250
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-RepetitiveAvalancheEnergy
16
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 2 .4 Amps, L = 5.5 mH
I
AR
RepetitiveAvalancheCurrent
2.4
A
Current decaying linearly to zero in 1 sec
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Parameters
12TQ Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
A
Following any rated
load condition and
with rated V
RRM applied
Kg-cm
(Ibf-in)
Voltage Ratings
Part number
12TQ035
12TQ040
12TQ045
VR
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
35
40
45
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 12TQ045S | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 12TQ035 | 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 130HF120PV | 130 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC |
| 152L5A | 150 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC |
| 154L10A | 150 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 12TQ045STRLPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 45V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| 12TQ045STRR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 15 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 12TQ045STRRPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 45V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| 12TQ080 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 80V 15A TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:840mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:550μA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:500pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:50 |
| 12TQ080STR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 80V 15A D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:840mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:550μA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:500pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:800 |
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