- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录63012 > 150GAL12DN2 IGBT Module PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 150GAL12DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模块 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 150GAL12DN2 |
2
Nov-24-1997
BSM 150 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Gate threshold voltage
VGE = VCE, IC = 6 mA
VGE(th)
4.5
5.5
6.5
V
Collector-emitter saturation voltage
VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 25 °C
VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 125 °C
VCE(sat)
-
3.1
2.5
3.7
3
Zero gate voltage collector current
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
ICES
-
8
2
-
2.8
mA
Gate-emitter leakage current
VGE = 20 V, VCE = 0 V
IGES
-
400
nA
AC Characteristics
Transconductance
VCE = 20 V, IC = 150 A
gfs
62
-
S
Input capacitance
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Ciss
-
11
-
nF
Output capacitance
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Coss
-
1.6
-
Reverse transfer capacitance
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Crss
-
0.6
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 150GT120DN2 | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 150K(R)SERIES | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 150L(R)SERIES | STANDARD RECOVERY DIODES 150A |
| 150K40 | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
| 150KR100 | Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 150GAST10 | 功能描述:瓷片电容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 电容:0.01 uF 容差:20 % 电压额定值:3 kV 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 损耗因数 DF: 端接类型:Radial 产品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAST25 | 功能描述:瓷片电容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 电容:0.01 uF 容差:20 % 电压额定值:3 kV 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 损耗因数 DF: 端接类型:Radial 产品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAST50 | 功能描述:瓷片电容器 15000V 500pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 电容:0.01 uF 容差:20 % 电压额定值:3 kV 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 损耗因数 DF: 端接类型:Radial 产品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAT10 | 功能描述:瓷片电容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 电容:0.01 uF 容差:20 % 电压额定值:3 kV 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 损耗因数 DF: 端接类型:Radial 产品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 150GAT25 | 功能描述:瓷片电容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 电容:0.01 uF 容差:20 % 电压额定值:3 kV 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 损耗因数 DF: 端接类型:Radial 产品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。