- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录231755 > 16F100MS05PBF 16 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 16F100MS05PBF |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 16 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封装： | DO-4, 1 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 2963K |
| 代理商： | 16F100MS05PBF |
1N3879(R), 1N3889(R), 6/ 12/ 16FL(R) Series
2222222222222
12
2
Voltage
V
RRM max. repetitive
V
RSM , maximum non-
I
RRM max.
I
RRM max.
I
RRM max.
Type number
Code
peak and off-state voltage
repetitive peak voltage T
J = 25°C
T
J = 100°C TJ = 150°C
V
A
mA
1N3879.
50
75
1N3880.
100
150
1N3881.
-
200
250
15 *
1.0 *
3.0 *
1N3882.
300
350
1N3883.
400
450
1N3889.
-
50
75
1N3890.
-
100
150
1N3891.
-
200
250
25 *
3.0 *
5.0 *
1N3892.
-
300
350
1N3893.
-
400
450
550
75
10
100
150
6FL..
20
200
275
12FL..
40
400
500
50
-
6.0
16FL..
60
600
725
80
800
950
100
1000
1250
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max. average forward current
180° conduction, half sine wave.
@ TC = 100°C
DC
I
F(RMS) Max. RMS current
9.5
19
25
A
I
FSM
Max. peak, one-cycle
85
130
170
215
t = 10ms No voltage
non-repetitive forward current
90
135
180
225
t = 8.3ms reapplied
72
110
145
180
t = 10ms 100% V
RRM
75 *
115
150 *
190
t = 8.3ms reapplied
Sinusoidal half wave
I2t
Maximum I2t for fusing
36
86
145
230
t = 10ms No voltage
Initial T
J = 150°C
33
78
130
210
t = 8.3ms reapplied
26
60
103
160
t = 10ms 100% V
RRM
23
55
94
150
t = 8.3ms reapplied
I2√t
Maximum I2√t for fusing
363
856
1452
2290
A2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
FM
Max. forward voltage
1.4 *
1.4
1.4 *
1.4
T
J = 25°C, IF = rated IF(AV) (D.C.)
1.5 *
1.5
1.5 *
1.5
T
C = 100°C, IFM = π x rated IF(AV)
Forward Conduction
1N3879.
1N3889.
Parameter
1N3883.
6FL..
1N3893. 16FL.. Units Conditions
12FL..
6*
6
12 *
16
A
A2s
V
* JEDEC registered value
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 16FL10MS02PBF | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 1B005TR16PBF | 1 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1B08STRR16PBF | 1 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1B10MTRR16PBF | 1 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1KAB5EPBF | 1.5 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 16F10M | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 6 A |
| 16F10PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DIODE 16A 100V |
| 16F1113 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:FAN 117MM 12VDC |
| 16F1114 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:FAN 117MM 24VDC |
| 16F120 | 功能描述:DIODE STD REC 1200V 16A DO-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。