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参数资料
| 型号： | 16FL10MS02PBF |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封装： | DO-4, 1 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 2963K |
| 代理商： | 16FL10MS02PBF |
1N3879(R), 1N3889(R), 6/ 12/ 16FL(R) Series
23
3
Recovery Characteristics
1N3879. 1N3889.
6FL..
Parameter
1N3883. 1N3893.
12FL..
Units Conditions
16FL..
S02 S05
t
rr
Max. reverse recovery time
150
...
T
J = 25°C, IF = 1A to VR= 30V, dIF/dt = 100A/s
300 *
200 500
T
J = 25°C, dIF/dt = 25A/s, IFM = p x rated IF(AV)
Q
RR
Max. reverse
400
350
...
T
J = 25°C, IF = 1A to VR= 30V, dIF/dt = 100A/s
recovered charge
400
...
T
J = 25°C, dIF/dt = 25A/s, IFM = p x rated IF(AV)
I
RM(REC) Max. peak recovery current
4 *
5 *
...
---
I
FM = p x rated IF(AV)
ns
nC
* JEDEC registered value
1N3879. 1N3889.
Parameter
1N3883. 1N3893.
Units Conditions
6FL..
12FL..
16FL..
T
J
Max. junction operating
temperature range
T
stg
Max. storage temperature
range
R
thJC
Max. thermal resistance,
junction to case
R
thCS
Max. thermal resistance,
case to heatsink
T
Allowable mounting torque
1.5 +0-10%
Nm
Not lubricated threads
13
lbf.in
1.2 +0-10%
Nm
Lubricated threads
10
lbf.in
wt
Approximate weight
7 (0.25)
g (oz)
Case style
DO-203AA(DO-4)
JEDEC
-65 to 150
-65 to 175
°C
Thermal and Mechanical Specification
2.5
2.0
1.6
DC operation
0.5
Mounting surface, smooth, flat and greased
C/W
180°
0.58
0.46
0.37
0.33
0.26
0.21
120°
0.60
0.48
0.39
0.58
0.46
0.37
60°
1.28
1.02
0.82
1.28
1.02
0.82
30°
2.20
1.76
1.41
2.20
1.76
1.41
Conduction angle
Sinusoidal conduction
Rectangular conduction
Units
Conditions
K/W
1N3879.
1N3889.
1N3879.
1N3889.
1N3883.
1N3893.
1N3883.
1N3893.
6FL..
12FL..
16FL..
6FL..
12FL..
16FL..
T
J = 150°C
R
thJC Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistence R
thJC when devices operate at different conduction angles than DC)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1B005TR16PBF | 1 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1B08STRR16PBF | 1 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1B10MTRR16PBF | 1 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1KAB5EPBF | 1.5 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1KAB5EL5PBF | 1.5 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 16FL10S02 | 功能描述:DIODE FAST REC 100V 16A DO-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 16FL10S05 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:6A, 12A AND 16A FAST RECOVERY RECTIFIERS |
| 16FL10S10 | 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:Fast Recovery Rectifier |
| 16FL20S02 | 功能描述:DIODE FAST REC 200V 16A DO-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 16FL20S05 | 功能描述:DIODE FAST REC 200V 16A DO-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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