参数资料
型号: 181NQ035
元件分类: 整流器
英文描述: 180 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, D-67, HALF PACK-1
文件页数: 3/5页
文件大小: 97K
代理商: 181NQ035
181NQ...(R) Series
Bulletin PD-2.293 rev. B 05/02
3
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance Z
thJC Characteristics
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
1
10
100
1000
0.2
.4
.6
.8
1
FM
F
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t-
I
(
A
)
ForwardVoltageDrop-V
(V)
T =175°C
T =125°C
T = 25°C
J
.001
.01
.1
1
10
100
1000
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45
R
T =175°C
150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
J
ReverseVoltage-V (V)
Re
ve
rs
e
C
u
rre
n
t-
I
(m
A)
1000
10000
0
102030
4050
T =25°C
J
ReverseVoltage-V (V)
R
T
Ju
nc
tio
nC
a
pa
ci
ta
n
ce
-
C
(
p
F
)
.001
.01
.1
1
.00001
.0001
.001
.01
.1
1
10
100
D=0.33
D=0.50
D=0.25
D=0.17
D=0.08
1
th
JC
t , RectangularPulseDuration(Seconds)
Th
e
rm
al
Im
pe
d
an
ce
-
Z
(
°C
/W
)
SinglePulse
(Thermal Resistance)
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1.DutyfactorD= t /t
2.PeakT =P xZ
+T
1
JDM thJC C
2
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PDF描述
181NQ040 180 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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