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参数资料
| 型号： | 183NQ080R |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 180 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D-67, HALF PACK-1 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 183NQ080R |
183NQ...(R) Series
Bulletin PD-2.256 rev. B 05/02
4
www.irf.com
Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
110
120
130
140
150
160
170
180
0
40
80
120 160 200 240 280
DC
Al
lo
w
ab
le
C
as
e
T
e
m
p
era
tu
re
-
(
°C
)
AverageForwardCurrent-I
(A)
F(AV)
183NQ
R
(DC)=0.30°C/W
thJC
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
40
80 120 160 200 240 280
DC
A
ve
rag
e
P
o
w
e
rL
o
ss
-
(W
a
tts
)
F(AV)
D=0.08
D=0.17
D=0.25
D=0.33
D=0.50
RMSLimit
AverageForwardCurrent-I
(A)
1000
10000
100000
10
100
1000
10000
FS
M
p
Non-Repetitive
Surge
Current
-I
(A)
At Any Rated Load Condition
And With Rated V
Applied
Following Surge
RRM
Square Wave Pulse Duration - t (microsec)
FRE E-W H EEL
D IO D E
40H FL40S02
CUR RE N T
MO N ITO R
HIG H -SPE ED
SW IT C H
IRFP460
L
DUT
Rg = 2 5 oh m
Vd = 25 V olt
+
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