型号: | 18TQ040STRRPBF |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 18 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封装: | PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3 |
文件页数: | 2/8页 |
文件大小: | 205K |
代理商: | 18TQ040STRRPBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1B05STRR16PBF | 1 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
1B10MPBF | 1 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
1N1183APBF | 40 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
1NR2061PBF | 250 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
1.5CE51ABKLEADFREE | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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18TQ045 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 18 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
18TQ045PBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 18A TO220AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
18TQ045S | 功能描述:肖特基二极管与整流器 18 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
18TQ045S | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 18A 45V |
18TQ045SPBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |