参数资料
型号: 195D106X5035Z8T
厂商: Vishay Sprague
文件页数: 9/25页
文件大小: 0K
描述: CAP TANT 10UF 35V 5% 2910
标准包装: 1,500
系列: TANTAMOUNT® 195D
电容: 10µF
电压 - 额定: 35V
容差: ±5%
类型: 保形涂层
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2910(7227 公制)
尺寸/尺寸: 0.285" L x 0.104" W(7.24mm x 2.65mm)
高度 - 座高(最大): 0.114"(2.90mm)
制造商尺寸代码: Z
特点: 通用
包装: 带卷 (TR)
195D
www.vishay.com
TYPICAL CURVES AT + 25 °C, IMPEDANCE AND ESR VS. FREQUENCY
“ S ” Ca s e
1000
Vishay Sprague
“V” Ca s e
100
IMPEDANCE
E S R
100
IMPEDANCE
E S R
10
1
4.7 μF - 10 V DC
1 μF - 35 V DC
10
0.47 μF - 50 V DC
1
15 μF - 4 V DC
0.1
0.1
1K
10K
100K
1M
10M
100M
1K
10K
100K
1M
10M
100M
1000
FRE Q UENCY IN Hz
“X” Ca s e
IMPEDANCE
100
FRE Q UENCY IN Hz
“Y” Ca s e
IMPEDANCE
100
E S R
10
E S R
10
6.8 μF - 20 V DC
1
22 μF - 10 V DC
1
0.1
10 μF - 16 V DC
0.1
47 μF - 6.3 V DC
0.01
100
1K
10K
100K
1M
10M
0.01
100
1K
10K
100K
1M
10M
FRE Q UENCY IN Hz
100
10
1
0.1
100 μF - 6.3 V DC
“Z” Ca s e
IMPEDANCE
E S R
4.7 μF - 50 V DC
FRE Q UENCY IN Hz
0.01
100
1K
10K
100K
1M
10M
FRE Q UENCY IN Hz
Revision: 28-Jun-13
9
Document Number: 40001
For technical questions, contact: tantalum@vishay.com
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PDF描述
TC1411VOA713 IC MOSFET DVR 1A HS INV 8SOIC
591D336X9016D2T15H CAP TANT 33UF 16V 10% 2917
TC4469COE IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC
CW100505-47NJ INDUCTOR 47NH 0402 SMD
TC1411VOA IC MOSFET DVR 1A HS INV 8SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
195D106X9004S2T 功能描述:钽质电容器-固体SMD 10uF 4volts 10% S case Conformal RoHS:否 制造商:AVX 电容:100 uF 电压额定值:20 V ESR: 容差:10 % 外壳代码 - in:2917 外壳代码 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商库存号:E Case 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 产品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封装:Bulk
195D106X9004S4T 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Solid Tantalum Chip Capacitors TANTAMOUNT Conformal Coated
195D106X9004S8T 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Solid Tantalum Chip Capacitors TANTAMOUNT Conformal Coated
195D106X9006V6 制造商:Vishay Sprague 功能描述:
195D106X9010F2T 制造商:Vishay Sprague 功能描述: