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参数资料
| 型号： | 19TQ015 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 19 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 19TQ015 |
19TQ015/ 19TQ015S
2
Bulletin PD-20266 rev. B 02/01
www.irf.com
Part number
19TQ015
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
I
F(AV) Max.AverageForwardCurrent
19
A
50%dutycycle@T
C = 80° C, rectangular wave form
*SeeFig.5
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
700
5s Sineor3sRect.pulse
SurgeCurrent *SeeFig.7
330
10msSineor6msRect. pulse
E
AS
Non-RepetitiveAvalancheEnergy
6.75
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 1.50 Amps, L = 6 mH
I
AR
RepetitiveAvalancheCurrent
1.50
A
Currentdecayinglinearlytozeroin1sec
Frequency limited by T
J max. VA = 3 x VR typical
Parameters
19TQ Units
Conditions
A
Absolute Maximum Ratings
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
0.36
V
@ 19A
* See Fig. 1
0.46
V
@ 38A
0.32
V
@ 19A
0.43
V
@ 38A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
10.5
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
522
mA
T
J = 100 °C
465
mA
T
J = 100 °C, VR = 12V
285
mA
T
J = 100 °C, VR = 5V
C
T
Max. Junction Capacitance
2000
pF
V
R = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
L
S
Typical Series Inductance
8.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10,000
V/ s
(Rated V
R)
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
V
R = rated VR
Electrical Specifications
Parameters
19TQ Units
Conditions
T
J
Max.JunctionTemperatureRange
-55to125
°C
T
stg
Max.StorageTemperatureRange
-55to150
°C
R
thJC Max.ThermalResistanceJunction
1.50
°C/W DCoperation
* See Fig. 4
toCase
R
thCS TypicalThermalResistance,Caseto
0.50
°C/W Mountingsurface,smoothandgreased
Heatsink
wt
ApproximateWeight
2(0.07)
g(oz.)
T
MountingTorque
Min.
6(5)
Max.
12(10)
Kg-cm
(Ibf-in)
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
19TQ
Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
Following any rated
load condition and
with rated V
RRM applied
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 19TQ015S | 19 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 1A2 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1B01STR16 | 1 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1B01S | 1 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1B06STR16 | 1 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 19TQ015CJ | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 15V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:15V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:360mV @ 19A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10.5mA @ 15V 不同?Vr，F 时的电容:2500pF @ 5V， 1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 100°C 标准包装:50 |
| 19TQ015-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 19 A |
| 19TQ015PBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO220AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 19TQ015PBF_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 19 A |
| 19TQ015PBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 19 A |
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