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参数资料
| 型号： | 1HV10K |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 1HV10K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1J4B42 | 1 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1KGVA-84+K | 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 1KSMBJ18C | 1000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 1KSMBJ7.5 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 1KSMBJ75 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1I11006A | 制造商:LG Corporation 功能描述:BODY COVER (V900E) |
| 1I11007A | 制造商:LG Corporation 功能描述:TOAL CASE (V900E) |
| 1I11008A | 制造商:LG Corporation 功能描述:FRONT BASE (V900E) |
| 1IBMS0610G | 制造商:UNKNOWN 功能描述: |
| 1IEQ10 | 制造商:NIHON 功能描述: |
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