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参数资料
| 型号： | 1J4B1 |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 1.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 1J4B1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10JTF10-010 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10JTF40-011 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10JTF40-029 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10JTF40 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 12CTQ035-005 | 12 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1J4B41 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| 1J4B42 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:RECTIFIER STACK (SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER APPLICATIONS) |
| 1J5002-10 | 功能描述:热敏电阻 - NTC 50Kohms 10% RoHS:否 制造商:EPCOS 电阻:10 kOhms 功率额定值:150 mW 容差:2 % 端接类型:Radial 系列:B57703M 工作温度范围:- 55 C to + 125 C |
| 1J8TE103J | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 1JA2725H14 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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