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参数资料
| 型号： | 1KSMB30 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | 1KSMB30 |
Revision: December 01, 2010, 13:50
2010 Littelfuse, Inc.
Specications are subject to change without notice.
Transient Voltage Suppression Diodes
38
Surface Mount – 1000W > 1KSMB series
1KSMB Series
Please refer to http://www.Littelfuse.com/series/1KSMB.html for current information.
Physical Specications
Weight
Case
over glass passivated junction
Polarity
Bidirectional.
Terminal
Environmental Specications
Temperature Cycle
Pressure Cooker
High Temp. Storage
HTRB
Thermal Shock
Soldering Parameters
T
e
mperature
(T
)
Time (t)
T
s(min)
T
s(max)
T
L
T
P
t
s
Preheat
t
L
t
p
Ramp-up
Critical Zone
T
L
to T
P
Ramp-down
t 25C to Peak
25C
Reow Condition
Pre Heat
- Temperature Min (T
s(min))
150°C
- Temperature Max (T
s(max))
200°C
- Time (min to max) (t
s)
Average ramp up rate (Liquidus Temp
(T
L) to peak
T
S(max) to TL - Ramp-up Rate
Reow
- Temperature (T
L) (Liquidus)
217°C
- Time (min to max) (t
s)
Peak Temperature (T
P)
260
°C
Time within 5°C of actual peak
Temperature (t
p)
Ramp-down Rate
Time 25°C to peak Temperature (T
P)
Do not exceed
280°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1KSMB100 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 1LS3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, DPDT, MOMENTARY, 0.8A, 115VDC, PANEL MOUNT |
| 1M234-3M | HF-UHF BAND, 22 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1M246 | HF-UHF BAND, 68 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1M5445A | 15 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1KSMB30A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Diode 1K SMB Suf MT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1KSMB30A M4G | 功能描述:TVS DIODE 41.4VC 24.2A DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:1KSMB 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:24.2A 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB） 标准包装:3,000 |
| 1KSMB30A R5G | 功能描述:TVS DIODE 41.4VC 24.2A DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:1KSMB 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:24.2A 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB） 标准包装:850 |
| 1KSMB30AHM4G | 功能描述:TVS DIODE 41.4VC 24.2A DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101，1KSMB 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:24.2A 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB） 标准包装:3,000 |
| 1KSMB30AHR5G | 功能描述:TVS DIODE 41.4VC 24.2A DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101，1KSMB 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:24.2A 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB） 标准包装:1 |
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