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参数资料
| 型号： | 1M1405A |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | 250 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | 1M1405A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1M1406A | 80 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1M1407B | 56 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1M1409 | 27 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1M6520 | 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1M6523B | 22 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1M1-4P3-R6/2-M3QE | 制造商:Carling Technologies 功能描述:1M-SERIES MINISWITCH - Bulk |
| 1M150Z | 功能描述:稳压二极管 150 Volt 1 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1M150Z A0G | 功能描述:DIODE ZENER 150V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1000 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 114V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:3,000 |
| 1M150Z B0G | 功能描述:DIODE ZENER 150V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1000 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 114V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1,000 |
| 1M150Z R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 150V 5% 1W 2-Pin DO-41 Tape and Box |
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