型号: | 1N1183APBF |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 40 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
封装: | DO-5, 1 PIN |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 377K |
代理商: | 1N1183APBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1NR2061PBF | 250 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
1.5CE51ABKLEADFREE | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
1.5CE6.8CABKLEADFREE | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
1N283TRLEADFREE | 0.1 A, 20 V, GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7 |
1N4111LEADFREE | 17 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N1183AR | 功能描述:整流器 50V 40A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N1183R | 功能描述:整流器 50V 35A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N1183RA | 功能描述:DIODE STD REC 50V 40A DO-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
1N1184 | 功能描述:整流器 100V 35A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N1184_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER |