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参数资料
| 型号： | 1N1185 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 35 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封装： | DO-5, 1 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | 1N1185 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N1188A | 40 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 1N1201RA | 12 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 1.5KE12ARL4 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6386 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 15R6/3D | 40 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N1185A | 功能描述:DIODE STD REC 150V 40A DO-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N1185AR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
| 1N1185R | 功能描述:DIODE STD REC 150V 35A DO-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N1185RA | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE 40A 150V DO-5 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE, 40A, 150V, DO-5; Diode Type:Standard Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:150V; Forward Current If(AV):40A; Forward Voltage VF Max:1.19V; Forward Surge Current Ifsm Max:800A ;RoHS Compliant: Yes |
| 1N1186 | 功能描述:整流器 200V 35A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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