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参数资料
| 型号： | 1N1186R |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 35 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 1N1186R |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N1186 | 35 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N1187R | 40 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N1187 | 40 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N1188 | 40 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N1190 | 40 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N1186RA | 功能描述:DIODE STD REC 200V 40A DO-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N1187 | 功能描述:整流器 300V 35A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N1187A | 功能描述:DIODE STD REC 300V 40A DO-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N1187AR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 300V 40A 2-Pin DO-5 T/R |
| 1N1187R | 功能描述:整流器 300V 35A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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