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参数资料
| 型号： | 1N1203B |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | 1N1203B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 1N1206B | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N1201A | 12 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N1202A | 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N4013 | 12 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N1203BR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 300V 12A 2PIN DO-4 - Bulk |
| 1N1203C | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:300V 25A 2PIN DO-203AA - Bulk |
| 1N1203CR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Silicon Power Rectifiers |
| 1N1203R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 300V 12A 2PIN DO-4 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 300V 12A 2-Pin DO-4 |
| 1N1203RA | 功能描述:DIODE STD REC 300V 12A DO-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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