- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录118 > 1N3064TR (Fairchild Semiconductor)DIODE SGL JUNCT 75V 4.0NS DO-35 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 1N3064TR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 27K |
| 描述： | DIODE SGL JUNCT 75V 4.0NS DO-35 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 300mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
December 2004
1N3064 Rev. A
1N3064 Small Signal Diode
1N3064
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 75 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 300 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 5
μA75V
VF
Forward Voltage IF
= 250
μA
505
575
mV
IF
= 1mA
550
650
mV
IF
= 2mA
610
710
mV
IF
= 10mA
1.0
V
IR
Reverse Leakage VR
= 50V
100
nA
VR
= 50V, T
A
= 150
°C
100
μA
CT
Total Capacitance VR
= 0, f = 1.0MHz 2 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 10mA, R
L
= 100
?, Irr
= 1mA 4 ns
DO-35
Color Band Denotes Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N3070TR | DIODE SGL JUNCT 200V SW DO-35 |
| 1N3087R | DIODE STD REC 300V 150A DO-30 |
| 1N3276R | RECTIFIER STUD 1600V 160A DO-9 |
| 1N3290R | DIODE STD REC 300V 100A DO-8 |
| 1N3295AR | RECTIFIER STUD 1000V 100A DO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N3067 | 制造商:-- 功能描述:Rectifier Diode, 30 Volt, DO-7 |
| 1N3069 | 制造商:ELCIND 功能描述: |
| 1N3070 | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N3070_T50R | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N3070-1 | 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向 供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。