| 型号： | 1N3275 |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 578K |
| 描述： | RECTIFIER STUD 1400V 160A DO-9 |
| 标准包装： | 7 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1400V（1.4kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 160A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 12mA @ 1400V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-205AB，DO-9，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-205AB，DO-9 |
| 包装： | 散装 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YB15WCKG01-12-CB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| ABM3C-14.31818MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 14.31818 MHZ 18PF SMD |
| 1N4594 | RECTIFIER STUD 1000V 150A DO-8 |
| 1N4596R | RECTIFIER STUD 1400V 150A DO-8 |
| YB15WCKG01-12-FB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N3275R | 功能描述:RECTIFIER STUD 1400V 160A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N3276 | 功能描述:RECTIFIER STUD 1600V 160A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N3276R | 功能描述:RECTIFIER STUD 1600V 160A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N3287 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GERMANIUM DIODES |
| 1N3288 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 100V 125A 2PIN DO-205AA - Bulk |