型号: | 1N3288A |
厂商: | POWEREX INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | RECTIFIER DIODE, 100V V(RRM), DO-8 |
中文描述: | 100 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 551K |
代理商: | 1N3288A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N3289A | Standard Recovery Rectifier; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:200V; Forward Current Avg Rectified, IF(AV):100A; Non Repetitive Forward Surge Current Max, Ifsm:2300A; Forward Voltage Max, VF:1.5V; Package/Case:DO-9 |
1N3290AR | RECTIFIER DIODE,300V V(RRM),DO-8 RoHS Compliant: Yes |
1N3294A | RECTIFIER DIODE, 1KV V(RRM), DO-8 |
1N3295A | RECTIFIER DIODE, 1KV V(RRM), DO-8 |
1N3296A | Standard Recovery Rectifier; Current Rating:100A; Forward Current:100A; Forward Current Avg Rectified, IF(AV):100A; Forward Surge Current Max, Ifsm:2300A; Forward Voltage:1.5V; Forward Voltage Max, VF:1.5V RoHS Compliant: Yes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N3288AR | 功能描述:RECTIFIER STUD 100V 100A DO-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
1N3288R | 功能描述:DIODE STD REC 100V 100A DO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
1N3288S | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON POWER RECTIFIER |
1N3289 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode 200V 100A 2-Pin DO-8 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode 200V 100A 2-Pin DO-8 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:200V 100A 2PIN DO-8 - Bulk |
1N3289_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER |