| 型号： | 1N3292A |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 551K |
| 描述： | RECTIFIER STUD 500V 100A DO-8 |
| 标准包装： | 9 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 500V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 100A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.5V @ 100A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 21mA @ 500V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-205AA，DO-8，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-205AA（DO-8） |
| 包装： | 散装 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3006Y-1-203Z | TRIMMER 20K OHM 0.75W TH |
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| HBC07DRXN | CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD |
| GBC07DREF | CONN EDGECARD 14POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N3292AR | 功能描述:RECTIFIER STUD 500V 100A DO-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N3292B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 500V 100A 2PIN DO-205AA - Bulk |
| 1N3292R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 500V 100A 2PIN DO-205AA - Bulk |
| 1N3292S | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON POWER RECTIFIER |
| 1N3293 | 功能描述:DIODE STD REC 600V 100A DO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |