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参数资料
| 型号： | 1N3574 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 398K |
| 代理商： | 1N3574 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N3623 | 16 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N3649 | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N3650R | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N3736 | 250 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-9 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N3581A | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:Ref/Reg Diode, 400mW < P(D) < 1W |
| 1N3587 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:Si Rectifier, 200A < I(O)/I(F) s 500A |
| 1N3592 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:Fast Rectifier |
| 1N3595 | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N3595 TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:1N Series 500 mW 150 V Max Reverse Voltage 225 mA Low Leakage Diode - DO-35 |
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