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参数资料
| 型号： | 1N3665R |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 35 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-208AA |
| 封装： | DO-21, 1 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 1N3665R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4137R | 70 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 1N1064R | 16 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 1N1183AR | 40 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 1N1187AR | 40 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 1N1206CR | 25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N3666 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:GOLD BONDED DIODES |
| 1N3668 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N367 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
| 1N3670 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 700V 22A 2PIN DO-203AA - Bulk |
| 1N3670A | 功能描述:DIODE STD REC 700V 12A DO-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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