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参数资料
| 型号： | 1N3670RA |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 12 A, 700 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封装： | DO-4, 1 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | 1N3670RA |
Document Number: 93493
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 24-Jun-08
3
1N1...A, 1N36..A Series
Medium Power
Silicon Rectifier Diodes, 12 A
Vishay High Power Products
Note
(1) JEDEC registered values
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum operating case and
storage temperature range
TC, TStg
- 65 to 200 (1)
°C
Maximum internal thermal
resistance, junction to case
RthJC
DC operation
2.0 (1)
°C/W
Thermal resistance,
case to sink
RthCS
Mounting surface, smooth, flat and greased
0.5
Mounting torque
minimum
Torque applied to nut; non-lubricated threads
1.36 (12)
N m
(lbf in)
maximum
1.69 (15)
minimum
Torque applied to nut; lubricated threads
1.07 (9.45)
maximum
1.30 (11.55)
minimum
Torque applied to device case; lubricated threads
1.17 (10.35)
maximum
1.43 (12.65)
Approximate weight
7.0
g
0.25
oz.
Case style
JEDEC
DO-203AA (DO-4)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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