型号: | 1N3747WMR |
厂商: | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 射频混频器 |
英文描述: | SILICON, X BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
封装: | HERMETIC SEALED, DO-23, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 257K |
代理商: | 1N3747WMR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N415CMR | SILICON, X BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
1N415HMR | SILICON, X BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
1N416CMR | SILICON, S BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
1N416CM | SILICON, S BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
1N416D | SILICON, S BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N3758 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:Si Rectifier |
1N3765 | 功能描述:整流器 700V 35A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N3765R | 功能描述:整流器 700V 35A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N3766 | 功能描述:整流器 800V 35A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N3766R | 功能描述:整流器 800V 35A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |