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参数资料
| 型号： | 1N4001-T |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 49K |
| 描述： | RECTIFIER 50V 1A DO-41 |
| 其它图纸： | 1N(40,58), SR Series Top |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 50V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1589 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N4001CT 1N4001CT-ND 1N4001DICT |
DS28002 Rev. 8 - 2
1 of 3
www.diodes.com
1N4001-1N4007
? Diodes Incorporated
1N4001 - 1N4007
1.0A RECTIFIER
Features
?
Diffused Junction
?
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
?
Surge Overload Rating to 30A Peak
?
Low Reverse Leakage Current
?
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)
Mechanical Data
?
Case: DO-41
?
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification
Rating 94V-0
?
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
?
Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
?
Polarity: Cathode Band
?
Mounting Position: Any
?
Ordering Information: See Page 2
?
Marking: Type Number
?
Weight: 0.30 grams (approximate)
Dim
DO-41 Plastic
Min
Max
A
25.40
?
B
4.06
5.21
C
0.71
0.864
D
2.00
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
1N4001
1N4002
1N4003
1N4004
1N4005
1N4006
1N4007
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50
100
200
400
600
800
1000
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
35
70
140
280
420
560
700
V
Average Rectified Output Current (Note 1) @ TA
= 75
°C
IO
1.0
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on rated load
IFSM
30
A
Forward Voltage @ IF
= 1.0A
VFM
1.0
V
Peak Reverse Current @TA
= 25
°C
at Rated DC Blocking Voltage @ TA
= 100
°C
IRM
5.0
50
μA
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Cj
15
8
pF
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
RθJA
100
K/W
Maximum DC Blocking Voltage Temperature
TA
+150
°C
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Notes: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPSA336M006R0600 | CAP TANT 33UF 6.3V 20% 1206 |
| T86D686M016ESSL | CAP TANT 68UF 16V 20% 2917 |
| 424-029-542-112 | CONN RCPT 29POS .200X.150 GOLD |
| VJ2220A332JXEAT | CAP CER 3300PF 500V 5% NP0 2220 |
| TAJB475M035RNJ | CAP TANT 4.7UF 35V 20% 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4001-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:1A STANDARD RECOVERY |
| 1N4001-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N4001TA | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:5,000 |
| 1N4001-TB | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N4001T-G | 功能描述:整流器 1A 50V Rectifier Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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