型号: | 1N4001G |
厂商: | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 133K |
代理商: | 1N4001G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4004G | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N4006G | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N4001S | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N4001TA2B5 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N4002TA2B5 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N4001-G | 功能描述:整流器 VR=50V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N4001G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
1N4001G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
1N4001G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:2,000 |
1N4001G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |