型号: | 1N4001GP-HE3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
封装: | LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 329K |
代理商: | 1N4001GP-HE3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N4001GPHE3/54 | 功能描述:整流器 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N4001GPHE3/73 | 功能描述:整流器 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N4001GPHM3/54 | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:5,500 |
1N4001GP-M3/54 | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:5,500 |
1N4001GP-M3/73 | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |