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参数资料
| 型号： | 1N4002-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 45K |
| 描述： | RECTIFIER GP 100V 1.0A DO41 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     =25 O C unless otherwise noted) Electrical Characteristics (at TA Ratings at 25 O C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load derate current by 20%. Parameter Symbo 1N l Unit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current O C 0.375"(9.5mm) Lead Length @TA=55 Peak Forward Surge Current, 8.3mS single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum Instantaneous Forward Voltage @1.0A Maximum DC Reverse Current at Rated TA=25 O C Operating Temperature Range Storage Ttemperature Range DC Blocking voltage per element Typical Junction Capacitance (Note 1) Typical Thermal Resistance (Note 2) 50 35 50 VRRM VRMS VDC I(AV) IFSM VF IR CJ RθJA TJ TSTG 1.0 30 5.0 50 15 60 -55 ~ +150 -55 ~ +150 V V V A A V PF O C O C μA O C/W NOTES: 1. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC. Thermal Resistance from junction to terminal 6.0mm 2 copper pads to each terminal. 2. V oltage: 50 to 1000 V Current: 1.0 A RoHS Device Dimensions in inches and (millimeter) DO-41 Features -Low cost construction. -Fast forward voltage drop. -Low reverse leakage. -High forward surge current capability . -High soldering temperature guarantee: 260 OC/10 seconds, 0.375”(9.5mm) lead length at 5lbs(2.3kg) tension. Mechanical data -Case: transfer molded plastic, DO-41 -Epoxy: UL 94V -0 rate flame retardant -Polarity: Indicated by cathode band -Lead: Plated axial lead, solderable per MIL-STD- 202E, method 208C -Mounting position: Any -W eight: 0.012ounce, 0.33 grams 100 70 100 200 140 200 400 280 400 600 420 600 800 560 800 1000 700 1000 1N4001-G Thru. 1N4007-G Page 1 QW-BG013 General Purpose Silicon Rectifiers REV:A Comchip Technology CO., LTD. 0.205(5.20) 1.0(25.40) Min. 0.107(2.70) 0.034(0.90) 0.028(0.70) 0.080(2.00) 0.160(4.20) 1.0(25.40) Min. SMD Diodes Specialist COMCHIP 1.1 30 -G 4001 1N -G 4002 1N -G 4003 1N -G 4004 1N -G 4005 1N -G 4006 1N -G 4007 =100 O C TA Maximum Full Load Reverse Current,full cycle average 0.375”(9.5mm)lead length at TL=75 O C IR(AV) μA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 1N4006FFG | DIODE STD FAN 1A 800V DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4002G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1N4002G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 1N4002G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:2,000 |
| 1N4002G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1N4002G R1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
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