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参数资料
| 型号： | 1N4003G-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 1N4003G-13 |
DS29002 Rev. D-2
1 of 2
1N4001G/L-1N4007G/L
www.diodes.com
Diodes Incorporated
1N4001G/L - 1N4007G/L
1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER
Features
“L” Suffix Designates A-405 Package
No Suffix Designates DO-41 Package
DO-41 Plastic
A-405
Dim
Min
Max
Min
Max
A
25.40
—
25.40
—
B
4.06
5.21
4.10
5.20
C
0.71
0.864
0.53
0.64
D
2.00
2.72
2.00
2.70
All Dimensions in mm
A
B
C
D
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Glass Passivated Die Construction
Diffused Junction
High Current Capability and Low Forward
Voltage Drop
Surge Overload Rating to 30A Peak
Plastic Material - UL Flammability
Classification 94V-0
Mechanical Data
Case: Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: DO-41 0.30 grams (approx)
A-405 0.20 grams (approx)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
1N4001
G/GL
1N4002
G/GL
1N4003
G/GL
1N4004
G/GL
1N4005
G/GL
1N4006
G/GL
1N4007
G/GL
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50
100
200
400
600
800
1000
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
35
70
140
280
420
560
700
V
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@ TA = 75°C
IO
1.0
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
IFSM
30
A
Forward Voltage
@ IF = 1.0A
VFM
1.0
V
Peak Reverse Current
@TA = 25°C
at Rated DC Blocking Voltage
@ TA = 125°C
IRM
5.0
50
A
Reverse Recovery Time (Note 3)
trr
2.0
s
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Cj
8.0
pF
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
RqJA
100
K/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +175
°C
Notes:
1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Measured with IF = 0.5A, IR = -1A, Irr = 0.25A.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4005G-13 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001GH02 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001GH03-3 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001GH03-4 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001GH07 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4003G-A | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| 1N4003G-B | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4003GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1N4003GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 1N4003GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
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