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参数资料
| 型号： | 1N4005E/53 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | 1N4005E/53 |
1N4001 thru 1N4007
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88503
2
13-Jan-03
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
0
Fig. 1 – Forward Current Derating Curve
A
v
er
age
F
orw
ard
Rectified
Current
(A)
Ambient Temperature (
°C)
0
Fig. 4 – Typical Reverse Characteristics
5.0
Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive
Peak Forward Surge Current
Fig. 5 – Typical Junction Capacitance
Fig. 3 – Typical Instantaneous
Forward Characteristics
Fig. 6 – Typical Transient Thermal
Impedance
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
60HZ Resistive or
Inductive Load
0.375" (9.5mm)
Lead Length
0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0mm)
Copper Pads
1
10
100
Number of Cycles at 60HZ
10
15
20
25
30
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
TA = 75°C
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
20
Instantaneous
F
orw
ard
Current
(A)
0.01
0.1
1
10
100
1,000
Instantaneous
Re
v
erse
Current
(
A)
60
80
100
20
40
Percentage of Peak Reverse Voltage (%)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 100°C
0.1
1
10
100
Reverse Voltage (V)
1
10
100
J
unction
Capacitance
(pF)
TJ = 25°C
f = 1.0MHZ
Vsig = 50mVp-p
0.01
0.1
1
10
100
t -- Pulse Duration (sec)
0.1
10
100
1
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(
°C/W)
TJ = 25°C
Pulse Width = 300
s
1% Duty Cycle
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PDF描述 |
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