参数资料
型号: 1N4005GH09
厂商: RECTRON LTD
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件页数: 1/1页
文件大小: 63K
代理商: 1N4005GH09
相关PDF资料
PDF描述
1N4005GM01 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4006GH05 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4007GH03-2 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4007GM03 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5401GH36-4 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4005GHA0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000
1N4005GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000
1N4005GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000
1N4005GHR1G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000
1N4005GL 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER