- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录92473 > 1N4006 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1N4006 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | F126, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 1N4006 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6SI4P | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6SI1P | 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6SI5P | 6 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6SI2P | 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6SK40 | 6 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4006- | 制造商:TAIW 功能描述:General Purpose 800V Through Hole Rectifier DO-41 1.0A |
| 1N4006 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4006 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 |
| 1N4006 R0 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 800V REEL 5K |
| 1N4006 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。