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参数资料
| 型号： | 1N4006GM04 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 1N4006GM04 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5402GH35 | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE100CAU23 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE110CAH36-2 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE110CU22 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE11CH36-4 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4006GP | 功能描述:整流器 1.0a Rectifier General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4006GP/1 | 功能描述:整流器 Vr/800V Io/1A BULK Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4006GP/23 | 功能描述:整流器 Vr/800V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4006GP/4 | 功能描述:整流器 Vr/800V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4006GP/54 | 功能描述:整流器 Vr/800V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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