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参数资料
| 型号： | 1N4006S-T/R |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | 1N4006S-T/R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4007R-T/B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| 11DF3-B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| 10DF4-T/R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4006T | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| 1N4006-T | 功能描述:整流器 1.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4006-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:1 AMP RECTIFIER D |
| 1N4006TA | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:5,000 |
| 1N4006T-G | 功能描述:整流器 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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