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参数资料
| 型号： | 1N4007-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 56K |
| 描述： | DIODE RECTIFIER 1A 1000V DO-41 |
| 产品培训模块： | Flat Chip Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 1000V |
| 电容@ Vr, F： | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1572 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 641-1312-6 |
         Page 2 QW-BG013 General Purpose Silicon Rectifiers REV:A Comchip Technology CO., LTD. Rating and Characteristic Curves ( 1N4001 -G Thru. 1N 4007-G ) Fig.2 Maximum. Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 0 Ι F S M , P e a k F o r w a r d S u r g e C u r r e n t ( A ) Number of Cycles at 60Hz 1 Fig.1 Typical Forward Current Derating Curve I ( A V ) , A v e r a g e F o r w a r d C u r r e n t ( A ) OC) TA, Ambient Temperature ( 0 25 75 175 Fig.3 Typical Instantaneous Forward Characteristics 0.01 I F , I n s t a n t a n e o u s F o r w a r d C u r r e n t ( A ) VF, Instantaneous Forward Voltage (V) 1.0 0.6 1.0 1.4 0 0.6 1.0 1.6 2.0 100 15 35 1.2 0.1 Fig.4 Typical Reverse Characteristics 0.01 I R , I n s t a n t a n e o u s R e v e r s e C u r r e n t ( m A ) Percent of Peak Reverse Voltage (%) 1.0 10 0.1 100 125 0.4 0.8 0.8 1.8 Fig.5 Typical Junction Capacitance 10 C J , C a p a c i t a n c e ( p F ) VR, Reverse Voltage (V) 100 0.1 10 100 10 50 150 0.2 10 5 10 25 30 1.2 0 40 80 100 140 20 120 60 1 Single phase Half wave, 60Hz Resistive or inductive load 20 8.3mS, single half sine-wave, JEDEC method. TJ=TJmax 10 =100 OC TJ TJ=25 OC f=1MHz =25 OC TJ 20 50 2 5 Pulse width=300μs. 1% duty cycle =25 OC TJ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GCC07DRTF | CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD |
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| GEC28DRES | CONN EDGECARD 56POS .100 EYELET |
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| IDT71024S12TY | IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4007G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| 1N4007G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 1N4007G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
| 1N4007G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1N4007G R1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
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