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参数资料
| 型号： | 1N4007FFG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE STD REC 1A 1000V DO-41 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1000V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
    1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007 http://onsemi.com 3 1 0.1 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.1 1.21 VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse Current 10 I F , FORWARD CURRENT (A) TC = 25 °C TC = 150 °C TC = 100 °C 1.0E?09 0 100 200 300 400 500 600 700 900 1000800 VR, REVERSE VOLTAGE (V) Figure 3. Typical Capacitance I R , REVERSE CURRENT (A) TC = 25 °C TC = 150 °C TC = 100 °C 1.0E?08 1.0E?07 1.0E?06 1.0E?05 1.0E?04 100 1 0 20 40 60 80 100 120 140 180 200160 VR, REVERSE VOLTAGE (V) 10 C, CAPACITANCE (pF) TJ = 25 °C |
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PDF描述 |
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| 1N4007G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
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