型号: | 1N4007S-T/B |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 200K |
代理商: | 1N4007S-T/B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
11DF3-B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
11DF4-T/B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
10DF4-T/R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N4933-B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N4933-T/R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
1N4007-T | 功能描述:整流器 Vr/1000V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N4007TA | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 |
1N4007T-G | 功能描述:整流器 1A 1000V Rectifier Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N4007TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
1N4007-TP | 功能描述:整流器 Vr/1000V Io/1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |