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参数资料
| 型号： | 1N4148_T50A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | DIODE SGL JUNCT 100V 4.0NS DO-35 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带盒（TB） |
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 — Small Signal Diode
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. 1.1.1 2
Electrical Characteristics(2)
Values are at TA
= 25
°C unless otherwise noted.
Note:
2. Non-recurrent square wave PW= 8.3 ms.
Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage
IR= 100
μ
A100V
IR= 5.0
μ
A75V
VF
1N914 / 916 / 4148 IF o r w a r d V o l t a g e
F= 10 mA 1.0 V
1 N 9 1 4 A / 9 1 6 A IF= 20 mA 1.0 V
1 N 9 1 4 B / 4 4 4 8 I
F= 5.0 mA 0.62 0.72 V
1N916B IF= 5.0 mA 0.63 0.73 V
1N916B IF= 20 mA 1.0 V
1N914B / 4448 IF= 100 mA 1.0 V
IR
Reverse Leakage
VR= 20 V 0.025
μA
VR= 20 V, TA= 150°C50μA
VR= 75 V 5.0
μA
CT
1N916A/B/4448 VTo t a l C a p a c i t a n c e
R
= 0, f = 1.0 MHz 2.0 pF
1N914A/B/4148 VR
= 0, f = 1.0 MHz 4.0 pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 10 mA, V
R
= 6.0 V (600 mA)
Irr
= 1.0 mA, R
L
= 100
Ω
4.0 ns
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